シラバス参照
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シラバス参照
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| 講義概要/Course Information |
| 科目基礎情報/General Information |
| 授業科目名 /Course title (Japanese) |
電子デバイス | ||
|---|---|---|---|
| 英文授業科目名 /Course title (English) |
Electronic Devices | ||
| 科目番号 /Code |
PHY602k PHY610n | ||
| 開講年度 /Academic year |
2019年度 | 開講年次 /Year offered |
3 |
| 開講学期 /Semester(s) offered |
後学期 | 開講コース・課程 /Faculty offering the course |
情報理工学域 |
| 授業の方法 /Teaching method |
講義 | 単位数 /Credits |
2 |
| 科目区分 /Category |
専門科目 | ||
| 開講類・専攻 /Cluster/Department |
Ⅲ類 | ||
| 担当教員名 /Lecturer(s) |
一色 秀夫 | ||
| 居室 /Office |
西１号館211 | ||
| 公開E-mail |
hideo.isshiki@uec.ac.jp | ||
| 授業関連Webページ /Course website |
http://www.flex.es.uec.ac.jp/?page_id=176 よりPWは初回講義にて指示する。 | ||
| 更新日 /Last update |
2019/04/26 11:07:09 | 更新状況 /Update status |
公開中 /now open to public |
| 講義情報/Course Description |
| 主題および 達成目標（2,000文字以内） /Themes and goals（up to 2,000 letters） |
a)主題： MOS構造およびMOS電界効果トランジスタ(FET)の動作原理の定性的・定量的理解を踏まえ、先端的MOSFET、CCD、MOSメモリについて学び、集積回路の作製プロセスについて概説する。 (b)達成目標 ： MOSFETの閾値を計算で求め、それらの電流ー電圧特性を理解する。また、集積微細化に伴うMOSFETの課題と近年の先端的MOSFET・半導体メモリーの動作原理、および集積回路作製プロセスを理解する。 |
|---|---|
| 前もって履修 しておくべき科目（1,000文字以内） /Prerequisites（up to 1,000 letters） |
固体電子論、基礎電磁気学および演習、基礎電子回路 |
| 前もって履修しておくこ とが望ましい科目（1,000文字以内） /Recommended prerequisites and preparation（up to 1,000 letters） |
論理回路学 |
| 教科書等（1,000文字以内） /Course textbooks and materials（up to 1,000 letters） |
教科書： 柴田 直著、半導体デバイス入門、数理工学社 古川 静二郎他著、電子デバイス工学、森北出版 参考書： 岸野 正剛著、現代半導体デバイスの基礎、オーム社 タウア・ニン 最新VLSIの基礎、丸善出版 S.M.ジー 半導体デバイス、産業図書 |
| 授業内容と その進め方（2,000文字以内） /Course outline and weekly schedule（up to 2,000 letters） |
1.半導体界面と接合１：フェルミ準位と半導体界面、 2.半導体界面と接合２：金属-絶縁体-半導体（MOS構造） 3.半導体界面と接合３：金属-半導体接合(ショットキー、オーミック)、ヘテロ接合 4.MOS電界効果トランジスター(FET)の動作原理 5.MOS-FETの基本特性 6.MOS-FETの閾値電圧、インバータ、CMOS 7.その他のFET（接合、MES、HEMT） 8. 中間試験と解説 9.集積回路・デバイス概論 10.MOSデバイスの微細化の課題１：スケーリング、High-k、高電界効果、量子化 11.MOSデバイスの微細化の課題２：短チャネル、パンチスルー 12.半導体メモリ（SRAM、DRAM、フラッシュメモリ） 13.半導体イメージセンサー１（光電変換、電荷移動） 14.半導体イメージセンサー２（CCD,CMOS） 15.先端的MOSFET（フィンFET、３D-NAND） |
| 実務経験を活かした 授業内容 (実務経験内容も含む) /Course content utilizing practical experience |
NEC(株)における半導体光デバイス・モジュールの製品開発に携わった経験を基に、実用化を念頭に置いた半導体デバイスの理解を進める。また、理化学研究所におけるナノ電子材料・デバイスの研究実績を基に、半導体デバイス物理の理解を深める。 |
| 授業時間外の学習 （予習・復習等）（1,000文字以内） /Preparation and review outside class（up to 1,000 letters） |
講義内容は予めWEBに掲載するので予習をすること。復習として、講義で説明された練習問題は必ず自分で解いてみる。予習、復習、講義でわからない点があったら、講義の後、またはメールで積極的に質問する。 |
| 成績評価方法 および評価基準 （最低達成基準を含む） （1,000文字以内） /Evaluation and grading （up to 1,000 letters） |
(a)成績評価 適宜行う演習および中間試験(40％)と期末試験(60%)で評価。 (b)評価基準 総合点６０点以上を合格とする。 |
| オフィスアワー： 授業相談（1,000文字以内） /Office hours（up to 1,000 letters） |
随時。但しメールで事前にアポイントメントを取ること。 |
| 学生へのメッセージ（1,000文字以内） /Message for students（up to 1,000 letters） |
前半はMOSFETのデバイス物理について講義し、後半はMOSFETを中心とする集積回路デバイス・プロセスとその課題を概説します。紹介する集積回路デバイスは新聞・経済紙を賑わしているものばかりです。是非、動作原理は説明できるようになってもらいたい。 |
| その他 /Others |
電子工学プログラムの学生は、電子工学実験第二と連動してMOS構造を学びます。このチャンスを十分に生かして下さい。 |
| キーワード /Keywords |
半導体、フェルミレベル、MOS構造、FET、集積回路、CMOS、半導体メモリ、半導体イメージセンサ |