シラバス参照
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シラバス参照
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| 講義概要/Course Information |
| 科目基礎情報/General Information |
| 授業科目名 /Course title (Japanese) |
電子デバイス | ||
|---|---|---|---|
| 英文授業科目名 /Course title (English) |
Electronic Devices | ||
| 科目番号 /Code |
PHY602m PHY609p | ||
| 開講年度 /Academic year |
2025年度 | 開講年次 /Year offered |
3 |
| 開講学期 /Semester(s) offered |
後学期 | 開講コース・課程 /Faculty offering the course |
情報理工学域 |
| 授業の方法 /Teaching method |
講義 | 単位数 /Credits |
2 |
| 科目区分 /Category |
専門科目 | ||
| 開講類・専攻 /Cluster/Department |
Ⅲ類 | ||
| 担当教員名 /Lecturer(s) |
一色・塚本 | ||
| 居室 /Office |
西１号館211 | ||
| 公開E-mail |
hideo.isshiki@uec.ac.jp | ||
| 授業関連Webページ /Course website |
Google ClassRoom に登録してください。 | ||
| 更新日 /Last update |
2025/03/18 18:18:16 | 更新状況 /Update status |
公開中 /now open to public |
| 講義情報/Course Description |
| 主題および 達成目標（2,000文字以内） /Themes and goals（up to 2,000 letters） |
a)主題： MOS構造およびMOS電界効果トランジスタ(FET)の動作原理の定性的・定量的理解を踏まえ、先端的MOSFET、CCD、MOSメモリについて学び、集積回路の作製プロセスについて概説する。 (b)達成目標 ： MOSFETの閾値を計算で求め、それらの電流ー電圧特性を理解する。また、集積微細化に伴うMOSFETの課題と近年の先端的MOSFET・半導体メモリーの動作原理、および集積回路作製プロセスを理解する。 |
|---|---|
| 前もって履修 しておくべき科目（1,000文字以内） /Prerequisites（up to 1,000 letters） |
固体電子論、基礎電磁気学および演習、基礎電子回路 |
| 前もって履修しておくこ とが望ましい科目（1,000文字以内） /Recommended prerequisites and preparation（up to 1,000 letters） |
論理回路学 |
| 教科書等（1,000文字以内） /Course textbooks and materials（up to 1,000 letters） |
教科書： 柴田 直著、半導体デバイス入門、数理工学社 古川 静二郎他著、電子デバイス工学、森北出版 参考書： 岸野 正剛著、現代半導体デバイスの基礎、オーム社 タウア・ニン 最新VLSIの基礎、丸善出版 S.M.ジー 半導体デバイス、産業図書 |
| 授業内容と その進め方（2,000文字以内） /Course outline and weekly schedule（up to 2,000 letters） |
1.半導体界面と接合１：フェルミ準位と半導体界面、 2.半導体界面と接合２：金属-絶縁体-半導体（MOS構造） 3.MOS電界効果トランジスター(FET)の動作原理 4.MOS-FETの基本特性 5.MOS-FETの閾値電圧、インバータ、CMOS 6.その他のFET（接合型FET、MES－FET、HEMT） 7. 中間演習と解説 8.半導体集積回路・プロセス、集積デバイス概論 9.半導体メモリ（SRAM、DRAM、フラッシュメモリ） 10.半導体イメージセンサー１（光電変換、電荷移動） 11.半導体イメージセンサー２（CCD,CMOS） 13. 先端半導体技術と半導体業界の現状 12.先端電子デバイス１：高電子移動度トランジスタ（HEMT) 14.先端電子デバイス２：量子効果デバイス 15. 期末試験と解説 |
| 実務経験を活かした 授業内容 (実務経験内容も含む) /Course content utilizing practical experience |
NEC(株)における半導体光デバイス・モジュールの製品開発に携わった経験を基に、実用化を念頭に置いた半導体デバイスの理解を進める。また、理化学研究所におけるナノ電子材料・デバイスの研究実績を基に、半導体デバイス物理の理解を深める。 |
| 授業時間外の学習 （予習・復習等）（1,000文字以内） /Preparation and review outside class（up to 1,000 letters） |
・復習と同時に事前の予習を行い、理解しにくい部分を把握して注意しながら授業に臨むこと。 ・課題を解くことに合わせて、授業や演習内容について理解の確認のためによく復習すること。 |
| 成績評価方法 および評価基準 （最低達成基準を含む） （1,000文字以内） /Evaluation and grading （up to 1,000 letters） |
(a)成績評価 適宜行う課題および中間演習(40％)と期末試験(60%)で評価。 (b)評価基準 総合点６０点以上を合格とする。具体的には以下のいずれも満たしていることが合格の基準である。 （１）MOS構造の概念を理解しており、反転層の定性的説明ができる。 （２）MOS電界効果トランジスタの動作原理について理解しており、トランジスタ特性が説明ができる。 （３）各種半導体メモリについて理解しており、その動作原理定量的の説明ができる。 （４）半導体イメージセンサについて理解しており、その動作原理定量的の説明ができる。 |
| オフィスアワー： 授業相談（1,000文字以内） /Office hours（up to 1,000 letters） |
メールまたはGogle Classroom経由で随時受け付けます。 |
| 学生へのメッセージ（1,000文字以内） /Message for students（up to 1,000 letters） |
前半はMOSFETのデバイス物理について講義し、後半はMOSFETを中心とする集積回路デバイス・プロセスとその課題を概説します。紹介する集積回路デバイスは新聞・経済紙を賑わしているものばかりです。是非、動作原理は説明できるようになってもらいたい。 |
| その他 /Others |
電子工学プログラムの学生は、電子工学実験第二と連動してMOS構造を学びます。このチャンスを十分に生かして下さい。 |
| キーワード /Keywords |
半導体、フェルミレベル、MOS構造、FET、集積回路、CMOS、半導体メモリ、半導体イメージセンサ |